Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Радиатор:Нет
Низкопрофильная:Нет
Производитель:Samsung
Количество контактов:262
Подсветка:Нет
описание:Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Row Precharge Delay (tRP):-
Дополнительная информация:-
manufacturerCountry:Филиппины
Модель:M425R1GB4BB0-CWM
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
24e5236215d3e02f9fe7563cf3e0bb37
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Радиатор
Низкопрофильная
Производитель
Количество контактов
Подсветка
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
manufacturerCountry
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)
gtdNumber
Тайминги
Тип оборудования
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Чип
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Габариты (мм)
Количество чипов на модуле
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)
Линейка
сайт производителя
Потребление энергии
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Вес (грамм)
Поддержка ECC
гарантия
Высота (мм)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)